中国 低電圧MOSFET

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  シリコン 低ゲート 限界電圧 モスフェット 格安

  無鉛状態:ROHS

  利点:システム の 効率 向上

  電力消費量:低い電力の損失

  接触
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  高度なアプリケーションにおける電力消費のためにモスフェットのシリコン損失低RDS

  抵抗力:低いRDS （）

  無鉛状態:ROHS

  利点:システム の 効率 向上

  接触
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  安全 低電圧 モスフェット 優れた性能と信頼性

  利点:システム の 効率 向上

  電力消費量:低い電力の損失

  無鉛状態:ROHS

  接触
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  55V アドバンスト トレンチ 低電圧 MOSFET トランジスタ バッテリー保護 TO-220AB TO-220F

  材料:シリコン

  抵抗力:低いRDS （）

  パッケージ:TO-220AB,TO-220F

  接触
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  鉛のない状態 臨時超電圧に耐える 低電圧モスフェット PWM アプリケーション

  無鉛状態:ROHS

  利点:システム の 効率 向上

  材料:シリコン

  接触
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  携帯電子機器と電信機器のための200V低電圧MOSFET

  電力消費量:低い電力の損失

  パッケージ:TO-252,TO-220AB,TO-220F について

  材料:シリコン

  接触
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  低電圧操作 メタルオキシド半導体 携帯電子機器用 フィールド効果トランジスタ

  電力消費量:低い電力の損失

  利点:システム の 効率 向上

  無鉛状態:ROHS

  接触
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  80V低電圧 MOSFET 電源配給とバッテリー充電サイクル

  材料:シリコン

  パッケージ:PDFN5*6,TO-220AB,TO-220F

  抵抗力:低いRDS （）

  接触
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  150V低電圧MOSFET センサーインターフェース 自動車電子機器

  材料:シリコン

  電力消費量:低い電力の損失

  パッケージ:TO-251,TO-220F

  接触
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  30V 表面量 低電圧 MOSFET インフォテインメントシステム PDFN5060

  パッケージ:TO-251,TO-252,TO-220F について

  材料:シリコン

  無鉛状態:ROHS

  接触
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  60V低電圧制御回路 MOSFET トレンチ技術 高速切り替え

  パッケージ:TO-251,TO-252

  電力消費量:低い電力の損失

  抵抗力:低いRDS （）

  接触
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  基本部品 低電圧 MOSFET 電子機器とシステムの種類

  無鉛状態:ROHS

  パッケージ:PDFN5*6,TO-220AB,TO-220F

  材料:シリコン

  接触