中国 低電圧MOSFET

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  Nチャネル 中低電圧 MOSFET バッテリー保護のために耐久性

  無鉛状態:ROHS

  材料:シリコン

  利点:システム の 効率 向上

  接触
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  5Gベースステーションのためのマルチシーンのシリコン低電力モスフェットトランジスタ

  材料:シリコン

  抵抗力:低いRDS （）

  電力消費量:低い電力の損失

  接触
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  高周波スイッチのためのシリコン中低電圧MOSFET

  電力消費量:低い電力の損失

  無鉛状態:ROHS

  抵抗力:低いRDS （）

  接触
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  マルチスクリーン 中低電圧 モスフェット アダプターと充電器

  利点:システム の 効率 向上

  抵抗力:低いRDS （）

  電力消費量:低い電力の損失

  接触
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  デジタル論理回路のための多機能低電力モスフェットトランジスタ

  抵抗力:低いRDS （）

  利点:システム の 効率 向上

  電力消費量:低い電力の損失

  接触
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  中低電圧 MOSFET 20v 負荷切換のために

  電力消費量:低い電力の損失

  抵抗力:低いRDS （）

  材料:シリコン

  接触
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  実用的な低電力モスフェットトランジスタ 20V 60V 無線充電用

  効率性:高効率と信頼性

  利点:システム の 効率 向上

  電力消費量:低い電力の損失

  接触
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  電力管理のためのマルチシーンの低電圧NチャネルMOSFET

  無鉛状態:ROHS

  効率性:高効率と信頼性

  抵抗力:低いRDS （）

  接触
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  DCDC変換のための特許SGT低電圧MOSFET

  無鉛状態:ROHS

  利点:システム の 効率 向上

  材料:シリコン

  接触
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  工業用低Vthモスフェット 自動車用電子機器用 多機能

  材料:シリコン

  効率性:高効率と信頼性

  利点:システム の 効率 向上

  接触
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  信号コンディショニング用の多シーンの安定性 ±200V低電圧MOSFET

  電力消費量:低い電力の損失

  効率性:高効率と信頼性

  抵抗力:低いRDS （）

  接触
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  バッテリー保護 低電圧電源 モスフェット TO-263C 通信システム用

  電力消費量:低い電力の損失

  無鉛状態:ROHS

  材料:シリコン

  接触