中国 低電圧MOSFET

• 

  60V~220C低電圧MOSFET 現代の電子機器に適しています

  材料:シリコン

  パッケージ:TO-251,TO-220AB

  利点:システム の 効率 向上

  接触
• 

  システム効率の向上 電子回路低電圧MOSFET

  利点:システム の 効率 向上

  パッケージ:TO-252,TO-220AB

  抵抗力:低いRDS （）

  接触
• 

  高密度統合 低ゲート 限界電圧 電子回路

  材料:シリコン

  電力消費量:低い電力の損失

  抵抗力:低いRDS （）

  接触
• 

  高スイッチ速度低電圧MOSFET 多機能TO-220AB PDFN5060

  利点:システム の 効率 向上

  無鉛状態:ROHS

  パッケージ:PDFN5*6,TO-220AB

  接触
• 

  信号コンディショニング用小型低電圧MOSFET TO-263C

  材料:シリコン

  抵抗力:低いRDS （）

  パッケージ:PDFN5*6,TO-252

  接触
• 

  熱耐性 システム効率の向上のための低電圧MOSFET

  無鉛状態:ROHS

  利点:システム の 効率 向上

  材料:シリコン

  接触
• 

  DC-DC変換のための低RDS ON抵抗低電圧MOSFET

  電力消費量:低い電力の損失

  パッケージ:TO-252,TO-220AB,TO-220F について

  無鉛状態:ROHS

  接触
• 

  DC-DC変換器および調節器における低電圧MOSFETの重要成分

  利点:システム の 効率 向上

  無鉛状態:ROHS

  電力消費量:低い電力の損失

  接触
• 

  負荷スイッチ用の超低抵抗SGT低電圧MOSFET

  電力消費量:低い電力の損失

  パッケージ:TO-252,TO-220AB

  利点:システム の 効率 向上

  接触
• 

  信頼性があり堅牢な低電圧MOSFETは先進的な溝技術を採用します

  電力消費量:低い電力の損失

  利点:システム の 効率 向上

  抵抗力:低いRDS （）

  接触
• 

  バッテリー充電サイクルのための低電圧MOSFET

  抵抗力:低いRDS （）

  利点:システム の 効率 向上

  無鉛状態:ROHS

  接触
• 

  デジタル論理回路のための40V低電圧MOSFETの表面量

  材料:シリコン

  利点:システム の 効率 向上

  抵抗力:低いRDS （）

  接触