ID:7A
下水管源の電圧:650V
RDSON型 VGS=10V:520mΩ
ID:30A
下水管源の電圧:650V
RDSON型 VGS=10V:99mΩ
ID:7A
下水管源の電圧:650V
RDSON型 VGS=10V:520mΩ
ID:30A
下水管源の電圧:650V
RDSON型 VGS=10V:120mΩ
ID:7A
下水管源の電圧:650V
RDSON型 VGS=10V:350mΩ
ID:4a
下水管源の電圧:650V
RDSON型 VGS=10V:880mΩ
ID:7A
下水管源の電圧:650V
RDSON型 VGS=10V:350mΩ
タイプ:N
製造者:リンクソン
装置タイプ:力の分離した装置
製品名:スーパージャンクションMOSFET,クールMOS
タイプ:N
高光:極低の交差点容量 極小の内部抵抗
タイプ:N
高光:超低ゲート充電 急速な切り替え能力
製造者:リンクソン
高光:100% 雪崩テスト 状態での効率性のためにRON*A性能がはるかに低い
製造者:リンクソン
タイプ:N
内部抵抗:超小さい内部抵抗
容量:超低い接続点キャパシタンス
装置タイプ:スーパージャンクション MOSFET