広東・リンクソン・マイクロエレクトロニクス (Zhongxin半導体) 株式会社 (株) は,研究開発,包装試験,電力半導体装置の販売.工場は現在180人以上の従業員と1万平方メートル以上の面積を持っています. 我々は年間600KK以上高品質のパワー半導体装置を提供しています.我々は,高品質,高安定性,信頼性の高い電力半導体装置と包括的な技術サポートを顧客に提供しています.既存の主要生産ラインには,Schottky,低 VF ショットキー,高速復元ダイオード,高電圧モスフェット,中低電圧モスフェット,スーパージャンクションモスフェット,IGBT,SiCショートクリーバリアダイオード,シックモスフェット.電源アダプターなどのさまざまな分野で広く使用されています.,LED照明,ブラシレスモーター,リチウム電池管理,インバーター,エネルギー貯蔵と充電台などリンクソンマイクロエレクトロニクスは, 優れた電力半導体装置の製造者になるようコミットしています. 電力半導体コア装置の国有化を支援します.私たちは,顧客,従業員,パートナーからのすべての信頼を大切にし,顧客に誠実で熱心なサービスを提供...

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LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET

制御とブリッジ回路のための高電流600V電源MOSFET

ネットワークインフラストラクチャ用 IGBT 650V-1200V

低抵抗の電源ディスクリート装置 SJ MOS 照明用

品質インバーター IGBT & 高功率 IGBT 工場

制御とブリッジ回路のための高電流600V電源MOSFET

信頼性と頑丈なインバーター IGBT強化モード Nチャネル

LEDドライバのためのマルチシーンの電波抵抗性スーパージャンクションMOSFET

スマートホームアプリケーションのためのNチャネルパワーMOSFETトランジスタ多用途

産業用高性能モスフェット熱消耗金属酸化モスフェット

500V Nチャネル高功率MOSFET 多目的金属酸化半導体

30Vgs ストレージゲートソースストレージ DC モーターのための高電力 MOSFET

多機能低電圧MOSFET シンクロン直線

ネットワークインフラストラクチャ用 IGBT 650V-1200V

ローズコンパイル低電圧前向きシェットキーダイオードサーボドライバー

超低抵抗性シシモスフェット高効率再生可能エネルギーシステム

低漏れ高功率半導体ディスクリーートデバイスエネルギー効率向上

シリコンカービッドSBD

電力シリコンカービッド電気オーブンのためのショットキーバリアダイオード

高断熱電圧シリコンカービッドSBD データセンター用

工業用シリコンカービッドSBD 溶接機械のための多目的

インバーター IGBT

15A 1200V インバーター IGBT ショート回路耐久時間 10μS モータードライバー

信頼性と頑丈なインバーター IGBT強化モード Nチャネル

充電台 IGBT トランジスタ多目的 OBC アプリケーション

品質 インバーター IGBT & 高功率 IGBT 工場

シリコンカービッドSBD

電力シリコンカービッド 電気オーブンのためのショットキーバリアダイオード

高断熱電圧 シリコンカービッドSBD データセンター用

工業用シリコンカービッドSBD 溶接機械のための多目的

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高断熱電圧シリコンカービッドSBD データセンター用

15A 1200V インバーター IGBT ショート回路耐久時間 10μS モータードライバー

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