ID:7A
VDSS:600V
RDSON型 VGS=10V:510mΩ
ID:7A
VDSS:650V
RDSON型 VGS=10V:520mΩ
ID:47A
下水管源の電圧:600V
RDSON型 VGS=10V:68mΩ
タイプ:N
適用する:新エネルギー自動車,太陽光発電のエネルギー貯蔵,電力管理,照明電力供給
高光:100% 雪崩テスト 超低抵抗 低ゲート充電
製造者:リンクソン
高光:迅速なスイッチング効率のためにはるかに低いFOM,EMI 改善された設計,高速スイッチング能力,超低ゲートチャージ
タイプ:N
装置タイプ:力の分離した装置
高光:非常に低いFOM R dson*QgとE ossによる非常に低い損失,非常に高いコンミュテーション耐久性,より優れたEAS性能を持つ頑丈な設計
頻度:高頻度
タイプ:N
装置タイプ:力の分離した装置
高光:PFC回路スーパージャンクションMOSFET,スーパージャンクションMOSFET 実用的な,マルチシーンのスーパージャンクションN型モスフェット
製品名:スーパージャンクション MOSFET/クール MOS
高光:非常に低い内在容量,非常に良い製造再現性,ゲート充電を最小化
装置タイプ:力の分離した装置
製品名:スーパージャンクション MOSFET
製造者:リンクソン
EMIの差益:大きいEMIの差益
適用する:PFCステージ,ハードスイッチングPWMステージ,共鳴スイッチングPWMステージ,例えばPCシルバーボックス,アダプター,LCD&PDPTV,ライトニング,サーバー,テレコム,UPS.
供給の能力:600KK/年
製造者:リンクソン
製品名:スーパー・ジャンクション・モスフェット クール・モスフェット
製造者:リンクソン
適用する:テレビ電源,高性能充電器,アダプター,LED照明電源 LED/LCD/PDPテレビとモニター照明,太陽光/再生可能,UPSマイクロインバーターシステム,電源供給
内部抵抗:超小さい内部抵抗
容量:超低い接続点キャパシタンス
装置タイプ:力の分離した装置
