中国 スーパージャンクション MOSFET

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  650V スマートフォン 下回り 抵抗 超接線 モスフェット

  EMIの差益:大きいEMIの差益

  製造者:リンクソン

  適用する:テレコム/サーバーの電源

  接触
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  抵抗が極低でEMIの利差が大きい安定電源ディスクリートデバイス

  高光:100% 雪崩テスト 状態での効率性のためにRON*A性能がはるかに低い

  適用する:テレコム/サーバーの電源

  タイプ:N

  接触
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  電気通信電源ディスクリートデバイス スーパージャンクション MOSFET N型

  高光:100% 雪崩テスト 状態での効率性のためにRON*A性能がはるかに低い

  EMIの差益:大きいEMIの差益

  装置タイプ:力の分離した装置

  接触
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  N型スーパージャンクション モスフェット 通信 / サーバー電源

  タイプ:N

  EMIの差益:大きいEMIの差益

  適用する:テレコム / サーバー電源

  接触
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  電子 絶縁のない電源における高度なスーパー・ジャンクションMOSFET

  高光:100% 雪崩テスト 状態での効率性のためにRON*A性能がはるかに低い

  適用する:テレコム/サーバーの電源

  EMIの差益:大きいEMIの差益

  接触
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  テレコム / サーバー 電源 Sj モスフェット 高性能

  タイプ:N

  製造者:リンクソン

  高光:100% 雪崩テスト 状態での効率性のためにRON*A性能がはるかに低い

  接触
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  7A 650V 大型EMIマージンNチャネルMOSFET LC65R600F

  適用する:テレコム/サーバーの電源

  製造者:リンクソン

  EMIの差益:大きいEMIの差益

  接触
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  20A 650V スーパー・ジャンクション モス 通信サーバーの電源

  高光:100% 雪崩テスト 状態での効率性のためにRON*A性能がはるかに低い

  製造者:リンクソン

  装置タイプ:力の分離した装置

  接触
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  パワー EMI マージン 超モスフェット 100% 雪崩テスト

  タイプ:N

  EMIの差益:大きいEMIの差益

  製造者:リンクソン

  接触
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  4A 650V 880mΩ スーパージャンクション モスフェット低抵抗HVトランジスタ

  ID:4a

  下水管源の電圧:650V

  RDSON型 VGS=10V:880mΩ

  接触
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  Si スーパージャンクション MOSFET 高電流冷却モス 47A 600V 68mΩ

  ID:47A

  下水管源の電圧:600V

  RDSON型 VGS=10V:68mΩ

  接触
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  20A 650V 150mΩ 低Cissスーパージャンクション MOSFET 電源用

  ID:20A

  下水管源の電圧:650V

  RDSON型 VGS=10V:150mΩ

  接触