中国 Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd 地図

インバーター IGBT

• 多機能ゲート双極トランジスタ IGBT 60KHz 交換電源
• 15A 1200V インバーター IGBT ショート回路 耐久時間 10μS モータードライバー
• 充電台 IGBT トランジスタ 多目的 OBC アプリケーション
• 信頼性と頑丈なインバーター IGBT強化モード Nチャネル

高功率 IGBT

• サーボドライブ 高電力 IGBT 低コレクター 飽和電圧を発信
• 650V-1200V TO-247 産業用制御用の多機能高電源IGBT
• 低周波 VCE 高電源 IGBT 携帯発電所用 快速スイッチング
• 強化された高電力 IGBT 電力制御と変換

高い発電MOSFET

• 高面切換高電圧電源MOSFET pチャネルモスフェット
• 電気供給の切り替えるための高インプット阻力高電圧MOSFET
• 電子回路 高功率モスフェット 自動車駆動用品
• スイッチ 回路 電力スイッチのための高電圧電源

スーパージャンクション MOSFET

• 低抵抗の電源ディスクリート装置 SJ MOS 照明用
• 100% 雪崩テスト 通信サーバーの電源のためのスーパージャンクション MOSFET
• 充電堆のための高速スイッチングスーパージャンクションMOSFETクールモス
• パワー ディスクリーート デバイス LED ドライバーのためのスーパー・ジャンクション MOSFET

低電圧MOSFET

• 160A 60V 高級 トレンチ 低電圧 MOSFET TO-220F 負荷スイッチ
• TO-220C LT50N06AP 低しきい電圧 モスフェット Nチャネル
• 50A 100V 低ゲート電圧 モスフェット LG50N10AP
• LG80N10AF 100V〜220F バッテリー保護用低電圧MOSFET

高圧MOSFET

• 11A400V CS11N40A1 高電圧MOSFET TO-220AB ACからDC電源
• 5A600V CS5N60A2 スイッチモード電源のための高速スイッチモスフェット
• 8A500V CS8N50A2 TO-220F 電源スイッチ回路のための高電圧MOSFET
• 9A500V CS9N50A2 TO-220F 高圧モスフェット Nチャネル電源トランジスタ

ショットキー バリア・ダイオード

• MBR10150DC 10A150V TO-263 スコットキーバリア直す電源のための低前向き電圧
• MBR10200DC 10A200V TO-263 超電圧保護のためのSchottkyバリアダイオード
• SBT30L150DC 30A150V スコットキーバリアダイオード TO-263 電力供給のための高効率
• 20A45V MBR2045DC TO-263 光とコンネーターのためのショットキーバリアダイオード

急速復元ダイオード

• MUR1560 復元ダイオード 1A 600V 超高速切換能力 Rohs
• 16A400V〜220F 電源調整器 MUR1640FCT用の高速復元ダイオード 15-35ns
• 復元 MUR1060 急速復元ダイオード 15-35ns
• データ格納システム用 20A200V 急速復元ダイオード TO-220F MUR2020FCT

低 VF ショットキー

• 10A 200V HBT10L200 100%純銅超低Vfダイオード/非常に低前電圧ダイオード TO-220AB
• 10A HBT10L200SFCT TO-220F パッケージ付き低周波ダイオード
• 20V600A 高電流低 VF スコットキーダイオード LED照明用 SBM20V60FCT TO-220F
• 20A300V低VF スコットキー太陽光パネル構成TO-220F HBM20L300FCT

高功率半導体

• 低漏れ 高功率半導体 ディスクリーートデバイス エネルギー効率向上
• N 高電圧半導体TO-251 熱性能向上
• 高電圧容量 電力半導体 TO-220F 電源変換用
• 高温抵抗力半導体 低交差点容量